晶体硅太阳能电池的制造工艺流程说明，由此可见，涂尉郑堑太阳能电池芯片的制造采用的工艺方法与半导体器件基本相同，生产的工艺设备也基本相同；“硅”是我们这个星球上锈橡馐淞储藏最丰量的材料之一。自从19世纪科学家们发现了晶体硅的半导体特性后，它几乎改变了一切，甚至人类的思维。20世纪末，我们的生活中处处可见“硅”的身影和作用，晶体硅太阳能电池是近15年来形成产业化最快的。
方法/步骤
1、切片：采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片
2、清洗：用常规的硅片清洗方法清洗，然后用酸（或碱）溶液将硅片表面切割损伤层除去30－50um
3、制备绒面：用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面
4、磷扩散：采用涂布源（或液态源，或固态氮化磷片状源）进行扩散，制成PN＋结，结深一般为0.3－0.5um
5、周边刻蚀：扩散时在硅片周边表面形成的扩散层，会使电池上下电极短路，用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层
6、去除背面PN＋结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN＋结
7、制作上下电极：用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧窑钕仇焱结等工艺。先制作下电极，然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法
8、制作减反射膜：为了减少入反射损失，要在硅片表面裼沙钔炯上覆盖一层减反射膜。制作减反射膜的材料有MgF2，SiO2，Al2O3，胨检馁秣SiO，Si3N4，TiO2，Ta2O5等。工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法，溅射法、印刷法、PECVD法或喷涂法等
9、烧结：将电池芯片烧结于镍或铜的底板上
10、测试分档：按规定参数规范，测试分类
